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HiPerFET TM Power MOSFETs
ISOPLUS264 TM
(Electrically Isolated Backside)
Single Die MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low t rr
Preliminary Data Sheet
IXFL 44N80
V DSS = 800 V
I D25 = 44 A
R DS(on) = 0.165 ?
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
ISOPLUS-264 TM
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
Transient
800
800
± 20
± 30
V
V
V
V
G
C
E
(TAB)
I D25
I DM
I AR
E AR
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Note 1
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
44
176
44
64
A
A
A
mJ
G = Gate
E = Emitter
C = Collector
Tab = Collector
E AS
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
V ISOL
Weight
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s
50/60 Hz, RMS t = 1 min
I ISOL ≤ 1 mA t=1s
4
5
550
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
2500
3000
5
J
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
V~
V~
g
Features
Silicon chip on Direct-Copper-Bond
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
Low drain to tab capacitance(<30pF)
Low R DS (on) HDMOS TM process
Rugged polysilicon gate cell structure
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Fast intrinsic Rectifier
Applications
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
DC-DC converters
Battery chargers
Switched-mode and resonant-mode
V DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = 0 V, I D = 3mA
V DS = V GS , I D = 8mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = I T
Note 1
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
800
2.0
V
4.0 V
± 100 nA
100 μ A
2 mA
0.165 ?
power supplies
DC choppers
AC motor control
Advantages
Easy assembly
Space savings
High power density
? 2003 IXYS All rights reserved
DS99085(09/03)
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